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设计功率晶体管驱动电路

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发表于 2014-12-23 14:35:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

功率晶体管驱动电路如上图所示

该书介绍基极电阻应该用下面方法计算:


我打算三极管选用2N3019,从网上下载到他的说明文件,如下所示



可是怎样从该表中查到需要的参数呢?Ube是多少呢?β是多少呢?pdf文件中没有呀?

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发表于 2014-12-23 15:48:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 hubertdong 于 2014-12-23 16:01 编辑

1. 好好看看模拟电子的书;
2. 硅管的Ube≈0.7V;
3. Uce是4N25导通时的压降,一般0.2~0.3V;
4. β见附件,也可自己测一下。

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 楼主| 发表于 2014-12-23 16:02:50 | 显示全部楼层
本帖最后由 liangquan 于 2014-12-23 16:05 编辑
hubertdong 发表于 2014-12-23 15:48
1. 好好看看模拟电子的书;
2. 硅管的Ube≈0.7V;
3. Uce是4N25导通时的压降,一般0.2~0.3V;


谢谢!学机械的小白,想搞电,真难呀!

1. 我一定好好看看模拟电子的书,大学学过都忘了;

2. 硅管的是0.7V,好像也有写0.6V的,其他类型的管呢?这个参数哪本书有?模拟电子的书太注重理论了,实践介绍的却比较少;

3. 我从taobao上买的光耦,6N137,它的压降是多少?我怎样知道?

4. 你们搞电子的,β都是靠测出来的么?不能从样本或手册中查到么?

那个附件中,为什么β有很多组呢?不应该只有一个就行了么?如果VCE=12V呢?会怎样?
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发表于 2014-12-23 16:09:29 | 显示全部楼层
liangquan 发表于 2014-12-23 16:02
谢谢!学机械的小白,想搞电,真难呀!

1. 我一定好好看看模拟电子的书,大学学过都忘了;

可以看得出,你的管子应该工作在开关状态,只要光耦开通时保证NPN功率管饱和即可!
参数先估算,再试验确定。
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 楼主| 发表于 2014-12-23 16:15:45 | 显示全部楼层
hubertdong 发表于 2014-12-23 16:09
可以看得出,你的管子应该工作在开关状态,只要光耦开通时保证NPN功率管饱和即可!
参数先估算,再试验确 ...

谢谢您!要是有时间,麻烦您看看这篇帖子
http://www.geek-workshop.com/thread-11569-1-1.html

我的目的是想控制比例电磁铁,可是回路有了,就是不知道该怎样计算元件的参数(电阻的阻值等),我看模拟电子的书就能够知道怎样计算么?
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发表于 2014-12-23 16:46:02 | 显示全部楼层
liangquan 发表于 2014-12-23 16:15
谢谢您!要是有时间,麻烦您看看这篇帖子
http://www.geek-workshop.com/thread-11569-1-1.html

这个贴子是VMOS管,MOS管驱动只要电压,不要电流。
但要求驱动源内阻要小,因为MOS管的G和S等效电容较大,会影响驱动波形的上升沿和下降沿。
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